Toshiba lancia due mosfet di potenza a canale N da 80 V.

Si dice che i dispositivi siano adatti per applicazioni di alimentazione in cui è importante il funzionamento a bassa perdita, inclusa la conversione AC-DC e DC-DC nei data center e nelle stazioni base di comunicazione, nonché le apparecchiature di azionamento del motore. 

Sia il TPH2R408QM che il TPN19008QM presentano una riduzione di circa il 40% nella resistenza alla fonte di drenaggio (RDS (ON)) rispetto ai corrispondenti prodotti a 80 V nei processi precedenti come U-MOSVIII-H, afferma Toshiba.

TPN19008QM ha un valore RDS (ON) di 19mΩ (max.) Mentre il valore TPH2R408QM è 2,43mΩ.

La società afferma di aver ottimizzato la struttura del dispositivo, migliorando il trade-off tra RDS (ON) e le caratteristiche di carica del gate fino al 15% e il trade-off tra RDS (ON) e la carica in uscita del 31%.

I mosfet sono alloggiati in pacchetti a montaggio superficiale e classificati per una tensione di drain-source di 80V.

Funzionano a temperature del canale fino a 175 ° C.

Il TPN19008QM è valutato per una corrente di drain di 34A ed è alloggiato in un pacchetto TSON 3.3 × 3.3mm mentre il TPH2R408QM è valutato per 120A e alloggiato in un pacchetto SOP 5x6mm.