NTMFD4C20NT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NTMFD4C20NT1G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET 2N-CH 30V SO8FL
Specifiche:	NTMFD4C20NT1G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	89483 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche di NTMFD4C20NT1G

Modello di prodotti	NTMFD4C20NT1G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V SO8FL	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	89483 pcs	Scheda dati	NTMFD4C20NT1G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.1V @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	7.3 mOhm @ 10A, 10V
Potenza - Max	1.09W, 1.15W	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	8-PowerTDFN	Altri nomi	NTMFD4C20NT1GOSCT
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	46 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	970pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	9.3nC @ 4.5V	Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Standard	Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9.1A, 13.7A 1.09W, 1.15W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	9.1A, 13.7A

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Post-Vendita
Specifiche

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