NVTFS4824NTWG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NVTFS4824NTWG
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V 18.2A 8WDFN
Specifiche:	NVTFS4824NTWG.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	105611 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 105611 pcs

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Specifiche di NVTFS4824NTWG

Modello di prodotti	NVTFS4824NTWG	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 18.2A 8WDFN	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	105611 pcs	Scheda dati	NVTFS4824NTWG.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	8-WDFN (3.3x3.3)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	4.7 mOhm @ 23A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	3.2W (Ta), 21W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-PowerWDFN	temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	40 Weeks	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1740pF @ 12V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 18.2A (Ta) 3.2W (Ta), 21W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	18.2A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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