SI2307CDS-T1-E3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	SI2307CDS-T1-E3
Costruttore / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Specifiche:	SI2307CDS-T1-E3.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	378025 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 378025 pcs

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Specifiche di SI2307CDS-T1-E3

Modello di prodotti	SI2307CDS-T1-E3	fabbricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	378025 pcs	Scheda dati	SI2307CDS-T1-E3.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SOT-23-3 (TO-236)
Serie	TrenchFET®	Rds On (max) a Id, Vgs	88 mOhm @ 3.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	1.1W (Ta), 1.8W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Altri nomi	SI2307CDS-T1-E3-ND SI2307CDS-T1-E3TR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	340pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	6.2nC @ 4.5V	Tipo FET	P-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	P-Channel 30V 3.5A (Tc) 1.1W (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	3.5A (Tc)

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Post-Vendita
Specifiche

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