SQJ560EP-T1_GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	SQJ560EP-T1_GE3
Costruttore / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione del prodotto	MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8
Specifiche:	SQJ560EP-T1_GE3.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	99352 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 99352 pcs

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Specifiche di SQJ560EP-T1_GE3

Modello di prodotti	SQJ560EP-T1_GE3	fabbricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione	MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	99352 pcs	Scheda dati	SQJ560EP-T1_GE3.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	PowerPAK® SO-8 Dual
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®	Rds On (max) a Id, Vgs	12 mOhm @ 10A, 10V, 52.6 mOhm @ 10A, 10V
Potenza - Max	34W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	PowerPAK® SO-8 Dual	Altri nomi	SQJ560EP-T1_GE3TR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	47 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1650pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V, 45nC @ 10V	Tipo FET	N and P-Channel
Caratteristica FET	Standard	Tensione drain-source (Vdss)	60V
Descrizione dettagliata	Mosfet Array N and P-Channel 60V 30A (Tc), 18A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	30A (Tc), 18A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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