IXFN170N10

IXYS Corporation

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IXFN170N10
Costruttore / Marca:	IXYS Corporation
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B
Specifiche:	IXFN170N10.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	3124 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3124 pcs

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Specifiche di IXFN170N10

Modello di prodotti	IXFN170N10	fabbricante	IXYS Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	3124 pcs	Scheda dati	IXFN170N10.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 8mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SOT-227B
Serie	HiPerFET™	Rds On (max) a Id, Vgs	10 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)	600W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	SOT-227-4, miniBLOC	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Chassis Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	18 Weeks	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	10300pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	515nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	100V
Descrizione dettagliata	N-Channel 100V 170A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	170A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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