IXFR58N20

IXYS Corporation

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IXFR58N20
Costruttore / Marca:	IXYS Corporation
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 200V 50A ISOPLUS247
Specifiche:	IXFR58N20.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	7166 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 7166 pcs

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Specifiche di IXFR58N20

Modello di prodotti	IXFR58N20	fabbricante	IXYS Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 50A ISOPLUS247	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	7166 pcs	Scheda dati	IXFR58N20.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 4mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	ISOPLUS247™
Serie	HiPerFET™	Rds On (max) a Id, Vgs	40 mOhm @ 29A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	300W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	ISOPLUS247™	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	26 Weeks	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3600pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	140nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	200V
Descrizione dettagliata	N-Channel 200V 50A (Tc) 300W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	50A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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