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2N7002DWH6327XTSA1

Infineon TechnologiesInfineon Technologies
2N7002DWH6327XTSA1 Image
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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti: 2N7002DWH6327XTSA1
Costruttore / Marca: International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione del prodotto MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Specifiche: 2N7002DWH6327XTSA1.pdf
Stato RoHS Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta 1833956 pcs stock
Nave da Hong Kong
Modo di spedizione DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 1833956 pcs
Prezzo di riferimento (in dollari USA)
3000 pcs
$0.02
6000 pcs
$0.017
15000 pcs
$0.015
30000 pcs
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Specifiche di 2N7002DWH6327XTSA1

Modello di prodotti 2N7002DWH6327XTSA1 fabbricante Infineon Technologies
Descrizione MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 1833956 pcs Scheda dati 2N7002DWH6327XTSA1.pdf
Tensione - Prova 20pF @ 25V Tensione - Ripartizione PG-SOT363-6
Vgs (th) (max) a Id 3 Ohm @ 500mA, 10V Serie OptiMOS™
Stato RoHS Tape & Reel (TR) Rds On (max) a Id, Vgs 300mA
Potenza - Max 500mW Polarizzazione 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Altri nomi 2N7002DW H6327
2N7002DW H6327-ND
2N7002DW H6327TR-ND
2N7002DWH6327
2N7002DWH6327XTSA1TR
SP000917596
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 8 Weeks codice articolo del costruttore 2N7002DWH6327XTSA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 0.6nC @ 10V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.5V @ 250µA
Caratteristica FET 2 N-Channel (Dual) Descrizione espansione Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 300mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6
Tensione drain-source (Vdss) Logic Level Gate Descrizione MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 60V

Metodo di spedizione

★ SPEDIZIONE GRATUITA TRAMITE DHL / FEDEX / UPS SE UN IMPORTO PER ORDINI SUPERIORE A 1.000 USD.
(SOLO PER Circuiti integrati, Protezione di circuiti, RF / IF e RFID, Optoelettronica, Sensori, Trasduttori, Trasformatori, Isolatori, Interruttori, Relè)

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