RQ1A070APTR

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RQ1A070APTR
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
Specifiche:	1.RQ1A070APTR.pdf 2.RQ1A070APTR.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	203135 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 203135 pcs

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Specifiche di RQ1A070APTR

Modello di prodotti	RQ1A070APTR	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	203135 pcs	Scheda dati	1.RQ1A070APTR.pdf 2.RQ1A070APTR.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1V @ 1mA	Vgs (Max)	-8V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TSMT8
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	14 mOhm @ 7A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)	550mW (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-SMD, Flat Lead	temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7800pF @ 6V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	80nC @ 4.5V	Tipo FET	P-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)	12V	Descrizione dettagliata	P-Channel 12V 7A (Ta) 550mW (Ta) Surface Mount TSMT8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	7A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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