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APT66F60B2

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti: APT66F60B2
Costruttore / Marca: Microsemi
Descrizione del prodotto MOSFET N-CH 600V 70A TO-247
Specifiche: APT66F60B2.pdf
Stato RoHS Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta 4120 pcs stock
Nave da Hong Kong
Modo di spedizione DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 4120 pcs
Prezzo di riferimento (in dollari USA)
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Specifiche di APT66F60B2

Modello di prodotti APT66F60B2 fabbricante Microsemi
Descrizione MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4120 pcs Scheda dati APT66F60B2.pdf
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 2.5mA Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore T-MAX™ [B2]
Serie POWER MOS 8™ Rds On (max) a Id, Vgs 90 mOhm @ 33A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 1135W (Tc) imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-247-3 Variant temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 13190pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 330nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 600V Descrizione dettagliata N-Channel 600V 70A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 70A (Tc)

Metodo di spedizione

★ SPEDIZIONE GRATUITA TRAMITE DHL / FEDEX / UPS SE UN IMPORTO PER ORDINI SUPERIORE A 1.000 USD.
(SOLO PER Circuiti integrati, Protezione di circuiti, RF / IF e RFID, Optoelettronica, Sensori, Trasduttori, Trasformatori, Isolatori, Interruttori, Relè)

FEDEX www.FedEx.com A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
DHL www.DHL.com A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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