JANTXV1N1186R

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	JANTXV1N1186R
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
Specifiche:	JANTXV1N1186R.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	1610 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1610 pcs

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Specifiche di JANTXV1N1186R

Modello di prodotti	JANTXV1N1186R	fabbricante	Microsemi
Descrizione	DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	1610 pcs	Scheda dati	JANTXV1N1186R.pdf
Tensione - diretta (Vf) (max) a If	1.4V @ 110A	Tensione - inversa (Vr) (max)	200V
Contenitore dispositivo fornitore	DO-5	Velocità	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie	Military, MIL-PRF-19500/297	imballaggio	Bulk
Contenitore / involucro	DO-203AB, DO-5, Stud	Altri nomi	1086-16239 1086-16239-MIL
Temperatura di funzionamento - Giunzione	-65°C ~ 175°C	Tipo montaggio	Chassis, Stud Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo diodo	Standard, Reverse Polarity	Descrizione dettagliata	Diode Standard, Reverse Polarity 200V 35A Chassis, Stud Mount DO-5
Corrente - Dispersione inversa a Vr	10µA @ 200V	Corrente - raddrizzata media (Io)	35A
Capacità a Vr, F	-

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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