RN1310(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RN1310(TE85L,F)
Costruttore / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione del prodotto	TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
Specifiche:	RN1310(TE85L,F).pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	1174718 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1174718 pcs

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Specifiche di RN1310(TE85L,F)

Modello di prodotti	RN1310(TE85L,F)	fabbricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	1174718 pcs	Scheda dati	RN1310(TE85L,F).pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	50V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor	NPN - Pre-Biased	Contenitore dispositivo fornitore	USM
Serie	-	Resistor - Base (R1)	4.7 kOhms
Potenza - Max	100mW	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	SC-70, SOT-323	Altri nomi	RN1310(TE85LF)CT
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frequenza - transizione	250MHz
Descrizione dettagliata	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount USM	Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max)	100nA (ICBO)	Corrente - collettore (Ic) (max)	100mA

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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