RN2911FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RN2911FE(TE85L,F)
Costruttore / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione del prodotto	TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Specifiche:	RN2911FE(TE85L,F).pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	898990 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 898990 pcs

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Specifiche di RN2911FE(TE85L,F)

Modello di prodotti	RN2911FE(TE85L,F)	fabbricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	898990 pcs	Scheda dati	RN2911FE(TE85L,F).pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	50V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor	2 PNP - Pre-Biased (Dual)	Contenitore dispositivo fornitore	ES6
Serie	-	Resistor - Emitter Base (R2)	-
Resistor - Base (R1)	10 kOhms	Potenza - Max	100mW
imballaggio	Cut Tape (CT)	Contenitore / involucro	SOT-563, SOT-666
Altri nomi	RN2911FE(TE85LF)CT	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione	200MHz	Descrizione dettagliata	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 5V	Corrente - Cutoff collettore (max)	100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)	100mA

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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