TK12V60W,LVQ

Toshiba Semiconductor and Storage

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	TK12V60W,LVQ
Costruttore / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione del prodotto	MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN
Specifiche:	TK12V60W,LVQ.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	4320 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4320 pcs

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Specifiche di TK12V60W,LVQ

Modello di prodotti	TK12V60W,LVQ	fabbricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	4320 pcs	Scheda dati	TK12V60W,LVQ.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3.7V @ 600µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	4-DFN-EP (8x8)
Serie	DTMOSIV	Rds On (max) a Id, Vgs	300 mOhm @ 5.8A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	104W (Tc)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	4-VSFN Exposed Pad	Altri nomi	TK12V60WLVQCT
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	890pF @ 300V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	Super Junction
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	600V
Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 11.5A (Ta) 104W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	11.5A (Ta)

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Post-Vendita
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