NTD50N03RG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NTD50N03RG
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK
Specifiche:	NTD50N03RG.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	5524 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5524 pcs

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Specifiche di NTD50N03RG

Modello di prodotti	NTD50N03RG	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	5524 pcs	Scheda dati	NTD50N03RG.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	DPAK
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	12 mOhm @ 30A, 11.5V
Dissipazione di potenza (max)	1.5W (Ta), 50W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	750pF @ 12V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 11.5V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 11.5V
Tensione drain-source (Vdss)	25V	Descrizione dettagliata	N-Channel 25V 7.8A (Ta), 45A (Tc) 1.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	7.8A (Ta), 45A (Tc)

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Specifiche

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