SI7898DP-T1-E3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	SI7898DP-T1-E3
Costruttore / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Specifiche:	SI7898DP-T1-E3.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	71847 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 71847 pcs

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Specifiche di SI7898DP-T1-E3

Modello di prodotti	SI7898DP-T1-E3	fabbricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione	MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	71847 pcs	Scheda dati	SI7898DP-T1-E3.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	PowerPAK® SO-8
Serie	TrenchFET®	Rds On (max) a Id, Vgs	85 mOhm @ 3.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	1.9W (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	PowerPAK® SO-8	Altri nomi	SI7898DP-T1-E3TR SI7898DPT1E3
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	150V	Descrizione dettagliata	N-Channel 150V 3A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	3A (Ta)

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Post-Vendita
Specifiche

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