SIR112DP-T1-RE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	SIR112DP-T1-RE3
Costruttore / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CHAN 40V
Specifiche:	SIR112DP-T1-RE3.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	95054 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 95054 pcs

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Specifiche di SIR112DP-T1-RE3

Modello di prodotti	SIR112DP-T1-RE3	fabbricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione	MOSFET N-CHAN 40V	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	95054 pcs	Scheda dati	SIR112DP-T1-RE3.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.4V @ 250µA	Vgs (Max)	+20V, -16V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	PowerPAK® SO-8
Serie	TrenchFET® Gen IV	Rds On (max) a Id, Vgs	1.96 mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	5W (Ta), 62.5W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	PowerPAK® SO-8	Altri nomi	SIR112DP-T1-RE3TR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4270pF @ 20V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	89nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	40V
Descrizione dettagliata	N-Channel 40V 37.6A (Ta), 133A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	37.6A (Ta), 133A (Tc)

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Post-Vendita
Specifiche

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