SISF00DN-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	SISF00DN-T1-GE3
Costruttore / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione del prodotto	MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12
Specifiche:	SISF00DN-T1-GE3.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	86327 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 86327 pcs

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Specifiche di SISF00DN-T1-GE3

Modello di prodotti	SISF00DN-T1-GE3	fabbricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione	MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	86327 pcs	Scheda dati	SISF00DN-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.1V @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	PowerPAK® 1212-8SCD
Serie	TrenchFET® Gen IV	Rds On (max) a Id, Vgs	5 mOhm @ 10A, 10V
Potenza - Max	69.4W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	PowerPAK® 1212-8SCD	Altri nomi	SISF00DN-T1-GE3TR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2700pF @ 15V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	53nC @ 10V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Common Drain	Caratteristica FET	Standard
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 30V 60A (Tc) 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SCD
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	60A (Tc)

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Post-Vendita
Specifiche

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