IPB020N10N5LFATMA1

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IPB020N10N5LFATMA1
Costruttore / Marca:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 100V D2PAK-3
Specifiche:	IPB020N10N5LFATMA1.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	15163 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 15163 pcs

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Specifiche di IPB020N10N5LFATMA1

Modello di prodotti	IPB020N10N5LFATMA1	fabbricante	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione	MOSFET N-CH 100V D2PAK-3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	15163 pcs	Scheda dati	IPB020N10N5LFATMA1.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4.1V @ 270µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	PG-TO263-3
Serie	OptiMOS™-5	Rds On (max) a Id, Vgs	2 mOhm @ 100A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	313W (Tc)	imballaggio	Original-Reel®
Contenitore / involucro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Altri nomi	IPB020N10N5LFATMA1DKR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	840pF @ 50V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	195nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	100V
Descrizione dettagliata	N-Channel 100V 120A (Tc) 313W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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DHL	www.DHL.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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