UPA2825T1S-E2-AT

Renesas Electronics America

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	UPA2825T1S-E2-AT
Costruttore / Marca:	Renesas Electronics America
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V 8HVSON
Specifiche:	UPA2825T1S-E2-AT.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	125806 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 125806 pcs

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Specifiche di UPA2825T1S-E2-AT

Modello di prodotti	UPA2825T1S-E2-AT	fabbricante	Renesas Electronics America
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 8HVSON	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	125806 pcs	Scheda dati	UPA2825T1S-E2-AT.pdf
Vgs (th) (max) a Id	-	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	-
Rds On (max) a Id, Vgs	4.6 mOhm @ 24A, 10V	Dissipazione di potenza (max)	1.5W (Ta), 16.5W (Tc)
imballaggio	Tape & Reel (TR)	Contenitore / involucro	8-PowerWDFN
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2600pF @ 10V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	57nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 24A (Tc) 1.5W (Ta), 16.5W (Tc) Surface Mount	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	24A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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