RN4610(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RN4610(TE85L,F)
Costruttore / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione del prodotto	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Specifiche:	RN4610(TE85L,F).pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	4530 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4530 pcs

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Specifiche di RN4610(TE85L,F)

Modello di prodotti	RN4610(TE85L,F)	fabbricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	4530 pcs	Scheda dati	RN4610(TE85L,F).pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	50V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)	Contenitore dispositivo fornitore	SM6
Serie	-	Resistor - Emitter Base (R2)	-
Resistor - Base (R1)	4.7 kOhms	Potenza - Max	300mW
imballaggio	Cut Tape (CT)	Contenitore / involucro	SC-74, SOT-457
Altri nomi	RN4610(TE85LF)CT	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione	200MHz	Descrizione dettagliata	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 5V	Corrente - Cutoff collettore (max)	100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)	100mA

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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