2SK3564(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	2SK3564(STA4,Q,M)
Costruttore / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS
Specifiche:	1.2SK3564(STA4,Q,M).pdf 2.2SK3564(STA4,Q,M).pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	77534 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 77534 pcs

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

1 pcs: $0.675

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50 pcs: $0.546

100 pcs: $0.491

250 pcs: $0.436

500 pcs: $0.382

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Specifiche di 2SK3564(STA4,Q,M)

Modello di prodotti	2SK3564(STA4,Q,M)	fabbricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	77534 pcs	Scheda dati	1.2SK3564(STA4,Q,M).pdf 2.2SK3564(STA4,Q,M).pdf
Tensione - Prova	700pF @ 25V	Tensione - Ripartizione	TO-220SIS
Vgs (th) (max) a Id	4.3 Ohm @ 1.5A, 10V	Vgs (Max)	10V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	π-MOSIV
Stato RoHS	Tube	Rds On (max) a Id, Vgs	3A (Ta)
Polarizzazione	TO-220-3 Full Pack	Altri nomi	2SK3564(Q) 2SK3564(STA4,Q) 2SK3564(STA4Q) 2SK3564(STA4Q)-ND 2SK3564(STA4QM) 2SK3564Q 2SK3564Q-ND 2SK3564STA4QM
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL)	1 (Unlimited)	codice articolo del costruttore	2SK3564(STA4,Q,M)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	17nC @ 10V	Tipo IGBT	±30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	4V @ 1mA	Caratteristica FET	N-Channel
Descrizione espansione	N-Channel 900V 3A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS	Tensione drain-source (Vdss)	-
Descrizione	MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	900V
rapporto di capacità	40W (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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