TPCC8002-H(TE12L,Q

Toshiba Semiconductor and Storage

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	TPCC8002-H(TE12L,Q
Costruttore / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
Specifiche:	1.TPCC8002-H(TE12L,Q.pdf 2.TPCC8002-H(TE12L,Q.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	696621 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 696621 pcs

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Specifiche di TPCC8002-H(TE12L,Q

Modello di prodotti	TPCC8002-H(TE12L,Q	fabbricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	696621 pcs	Scheda dati	1.TPCC8002-H(TE12L,Q.pdf 2.TPCC8002-H(TE12L,Q.pdf
Tensione - Prova	2500pF @ 10V	Tensione - Ripartizione	8-TSON
Vgs (th) (max) a Id	8.3 mOhm @ 11A, 10V	Vgs (Max)	4.5V, 10V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	U-MOSV-H
Stato RoHS	Tape & Reel (TR)	Rds On (max) a Id, Vgs	22A (Ta)
Polarizzazione	8-VDFN Exposed Pad	Altri nomi	TPCC8002HTE12LQ
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)	1 (Unlimited)	codice articolo del costruttore	TPCC8002-H(TE12L,Q
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	27nC @ 10V	Tipo IGBT	±20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	2.5V @ 1mA	Caratteristica FET	N-Channel
Descrizione espansione	N-Channel 30V 22A (Ta) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON	Tensione drain-source (Vdss)	-
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	30V
rapporto di capacità	700mW (Ta), 30W (Tc)

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Post-Vendita
Specifiche

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