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DLA11C-TR-E

ON SemiconductorON Semiconductor
DLA11C-TR-E Image
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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti: DLA11C-TR-E
Costruttore / Marca: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto DIODE GEN PURP 200V 1.1A 2SMD
Specifiche: DLA11C-TR-E.pdf
Stato RoHS Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta 5200 pcs stock
Nave da Hong Kong
Modo di spedizione DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 5200 pcs
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Specifiche di DLA11C-TR-E

Modello di prodotti DLA11C-TR-E fabbricante ON Semiconductor
Descrizione DIODE GEN PURP 200V 1.1A 2SMD Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5200 pcs Scheda dati DLA11C-TR-E.pdf
Tensione - Picco inversa (max) Standard Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.1A
Tensione - Ripartizione - Serie -
Stato RoHS Tape & Reel (TR) Tempo di ripristino inverso (trr) Fast Recovery = 200mA (Io)
Resistenza a If, F - Polarizzazione 2-SMD
Temperatura di funzionamento - Giunzione 50ns Tipo montaggio Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited) codice articolo del costruttore DLA11C-TR-E
Descrizione espansione Diode Standard 200V 1.1A Surface Mount Configurazione diodo 10µA @ 200V
Descrizione DIODE GEN PURP 200V 1.1A 2SMD Corrente - Dispersione inversa a Vr 980mV @ 1.1A
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 200V Capacità a Vr, F 150°C (Max)

Metodo di spedizione

★ SPEDIZIONE GRATUITA TRAMITE DHL / FEDEX / UPS SE UN IMPORTO PER ORDINI SUPERIORE A 1.000 USD.
(SOLO PER Circuiti integrati, Protezione di circuiti, RF / IF e RFID, Optoelettronica, Sensori, Trasduttori, Trasformatori, Isolatori, Interruttori, Relè)

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