NSVMUN2233T1G

ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NSVMUN2233T1G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59-3
Specifiche:	NSVMUN2233T1G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	1336466 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1336466 pcs

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Specifiche di NSVMUN2233T1G

Modello di prodotti	NSVMUN2233T1G	fabbricante	ON Semiconductor
Descrizione	TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59-3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	1336466 pcs	Scheda dati	NSVMUN2233T1G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	100mA	Tensione - Ripartizione	SC-59-3
Vce saturazione (max) a Ib, Ic	50V	Serie	-
Stato RoHS	Tape & Reel (TR)	Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm)	4.7k
Resistenza - Base (R1) (ohm)	-	Potenza - Max	230mW
Polarizzazione	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Di rumore (dB tip @ f)	47k
Tipo montaggio	Surface Mount	Livello di sensibilità umidità (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	10 Weeks	codice articolo del costruttore	NSVMUN2233T1G
Frequenza - transizione	80 @ 5mA, 10V	Descrizione espansione	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230mW Surface Mount SC-59-3
Descrizione	TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59-3	Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	500nA
Corrente - Cutoff collettore (max)	250mV @ 1mA, 10mA	Corrente - collettore (Ic) (max)	NPN - Pre-Biased

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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