DMN2013UFX-7

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DMN2013UFX-7
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
Specifiche:	DMN2013UFX-7.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	188761 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 188761 pcs

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Specifiche di DMN2013UFX-7

Modello di prodotti	DMN2013UFX-7	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	188761 pcs	Scheda dati	DMN2013UFX-7.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1.1V @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	W-DFN5020-6
Serie	Automotive, AEC-Q101	Rds On (max) a Id, Vgs	11.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Potenza - Max	2.14W	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	6-VFDFN Exposed Pad	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	20 Weeks	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2607pF @ 10V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	57.4nC @ 8V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Common Drain	Caratteristica FET	Standard
Tensione drain-source (Vdss)	20V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 10A (Ta) 2.14W Surface Mount W-DFN5020-6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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