DMNH10H028SPSQ-13

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DMNH10H028SPSQ-13
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506
Specifiche:	DMNH10H028SPSQ-13.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	70238 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche di DMNH10H028SPSQ-13

Modello di prodotti	DMNH10H028SPSQ-13	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	70238 pcs	Scheda dati	DMNH10H028SPSQ-13.pdf
Tensione - Prova	2245pF @ 50V	Tensione - Ripartizione	PowerDI5060-8
Vgs (th) (max) a Id	28 mOhm @ 20A, 10V	Vgs (Max)	10V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	-
Stato RoHS	Tape & Reel (TR)	Rds On (max) a Id, Vgs	40A (Tc)
Polarizzazione	8-PowerTDFN	Altri nomi	DMNH10H028SPSQ-13DITR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	16 Weeks
codice articolo del costruttore	DMNH10H028SPSQ-13	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	36nC @ 10V
Tipo IGBT	±20V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	4V @ 250µA
Caratteristica FET	N-Channel	Descrizione espansione	N-Channel 100V 40A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
Tensione drain-source (Vdss)	-	Descrizione	MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	100V	rapporto di capacità	1.6W (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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