DMT8012LPS-13

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DMT8012LPS-13
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8
Specifiche:	DMT8012LPS-13.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	150105 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 150105 pcs

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Specifiche di DMT8012LPS-13

Modello di prodotti	DMT8012LPS-13	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	150105 pcs	Scheda dati	DMT8012LPS-13.pdf
Tensione - Prova	1949pF @ 40V	Tensione - Ripartizione	PowerDI5060-8
Vgs (th) (max) a Id	17 mOhm @ 12A, 10V	Vgs (Max)	4.5V, 10V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	-
Stato RoHS	Tape & Reel (TR)	Rds On (max) a Id, Vgs	9A (Ta), 65A (Tc)
Polarizzazione	8-PowerTDFN	Altri nomi	DMT8012LPS-13DITR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	16 Weeks
codice articolo del costruttore	DMT8012LPS-13	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	34nC @ 10V
Tipo IGBT	±20V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	3V @ 250µA
Caratteristica FET	N-Channel	Descrizione espansione	N-Channel 80V 9A (Ta), 65A (Tc) 2.1W (Ta), 113W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Tensione drain-source (Vdss)	-	Descrizione	MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	80V	rapporto di capacità	2.1W (Ta), 113W (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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