EPC8003ENGR

EPC

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	EPC8003ENGR
Costruttore / Marca:	EPC
Descrizione del prodotto	TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
Specifiche:	1.EPC8003ENGR.pdf 2.EPC8003ENGR.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	5632 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5632 pcs

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100 pcs: $5.593

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Specifiche di EPC8003ENGR

Modello di prodotti	EPC8003ENGR	fabbricante	EPC
Descrizione	TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	5632 pcs	Scheda dati	1.EPC8003ENGR.pdf 2.EPC8003ENGR.pdf
Tensione - Prova	38pF @ 50V	Tensione - Ripartizione	Die
Vgs (th) (max) a Id	300 mOhm @ 500mA, 5V	Tecnologia	GaNFET (Gallium Nitride)
Serie	eGaN®	Stato RoHS	Tray
Rds On (max) a Id, Vgs	2.5A (Ta)	Polarizzazione	Die
Altri nomi	917-EPC8003ENGR EPC8003ENGK	temperatura di esercizio	-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Livello di sensibilità umidità (MSL)	1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore	EPC8003ENGR	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	0.32nC @ 5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	2.5V @ 250µA	Caratteristica FET	N-Channel
Descrizione espansione	N-Channel 100V 2.5A (Ta) Surface Mount Die	Tensione drain-source (Vdss)	-
Descrizione	TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	100V
rapporto di capacità	-

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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