FDD6N50TM

Fairchild/ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDD6N50TM
Costruttore / Marca:	Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
Specifiche:	FDD6N50TM.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	4702 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4702 pcs

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Specifiche di FDD6N50TM

Modello di prodotti	FDD6N50TM	fabbricante	Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 500V 6A DPAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	4702 pcs	Scheda dati	FDD6N50TM.pdf
Tensione - Prova	9400pF @ 25V	Tensione - Ripartizione	D-Pak
Vgs (th) (max) a Id	900 mOhm @ 3A, 10V	Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	UniFET™	Stato RoHS	Tube
Rds On (max) a Id, Vgs	6A (Tc)	Polarizzazione	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi	FDD6N50TM-5	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Livello di sensibilità umidità (MSL)	1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore	FDD6N50TM	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	16.6nC @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	5V @ 250µA	Caratteristica FET	N-Channel
Descrizione espansione	N-Channel 500V 6A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount D-Pak	Tensione drain-source (Vdss)	-
Descrizione	MOSFET N-CH 500V 6A DPAK	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	500V
rapporto di capacità	89W (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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