FDP8870

Fairchild/ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDP8870
Costruttore / Marca:	Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V 156A TO-220AB
Specifiche:	1.FDP8870.pdf 2.FDP8870.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	49559 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 49559 pcs

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Specifiche di FDP8870

Modello di prodotti	FDP8870	fabbricante	Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 156A TO-220AB	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	49559 pcs	Scheda dati	1.FDP8870.pdf 2.FDP8870.pdf
Tensione - Prova	5200pF @ 15V	Tensione - Ripartizione	TO-220AB
Vgs (th) (max) a Id	4.1 mOhm @ 35A, 10V	Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	PowerTrench®	Stato RoHS	Tube
Rds On (max) a Id, Vgs	19A (Ta), 156A (Tc)	Polarizzazione	TO-220-3
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	12 Weeks
codice articolo del costruttore	FDP8870	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	132nC @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	2.5V @ 250µA	Caratteristica FET	N-Channel
Descrizione espansione	N-Channel 30V 19A (Ta), 156A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220AB	Tensione drain-source (Vdss)	-
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 156A TO-220AB	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	30V
rapporto di capacità	160W (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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