FQD5N15TM

Fairchild/ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FQD5N15TM
Costruttore / Marca:	Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK
Specifiche:	1.FQD5N15TM.pdf 2.FQD5N15TM.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	356325 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 356325 pcs

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Specifiche di FQD5N15TM

Modello di prodotti	FQD5N15TM	fabbricante	Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	356325 pcs	Scheda dati	1.FQD5N15TM.pdf 2.FQD5N15TM.pdf
Tensione - Prova	230pF @ 25V	Tensione - Ripartizione	D-Pak
Vgs (th) (max) a Id	800 mOhm @ 2.15A, 10V	Vgs (Max)	10V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	QFET®
Stato RoHS	Tape & Reel (TR)	Rds On (max) a Id, Vgs	4.3A (Tc)
Polarizzazione	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Altri nomi	FQD5N15TM-ND FQD5N15TMTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	6 Weeks
codice articolo del costruttore	FQD5N15TM	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7nC @ 10V
Tipo IGBT	±25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	4V @ 250µA
Caratteristica FET	N-Channel	Descrizione espansione	N-Channel 150V 4.3A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount D-Pak
Tensione drain-source (Vdss)	-	Descrizione	MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	150V	rapporto di capacità	2.5W (Ta), 30W (Tc)

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Post-Vendita
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