HUF76407D3ST

Fairchild/ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	HUF76407D3ST
Costruttore / Marca:	Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Specifiche:	HUF76407D3ST.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	197391 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 197391 pcs

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Specifiche di HUF76407D3ST

Modello di prodotti	HUF76407D3ST	fabbricante	Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 12A DPAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	197391 pcs	Scheda dati	HUF76407D3ST.pdf
Tensione - Prova	350pF @ 25V	Tensione - Ripartizione	TO-252AA
Vgs (th) (max) a Id	92 mOhm @ 13A, 10V	Vgs (Max)	4.5V, 10V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	UltraFET™
Stato RoHS	Tape & Reel (TR)	Rds On (max) a Id, Vgs	12A (Tc)
Polarizzazione	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Altri nomi	HUF76407D3ST-ND HUF76407D3STFSTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	6 Weeks
codice articolo del costruttore	HUF76407D3ST	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	11.3nC @ 10V
Tipo IGBT	±16V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	3V @ 250µA
Caratteristica FET	N-Channel	Descrizione espansione	N-Channel 60V 12A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Tensione drain-source (Vdss)	-	Descrizione	MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	60V	rapporto di capacità	38W (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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