ISL9R8120S3ST

Fairchild/ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	ISL9R8120S3ST
Costruttore / Marca:	Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263
Specifiche:	ISL9R8120S3ST.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	6005 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6005 pcs

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Specifiche di ISL9R8120S3ST

Modello di prodotti	ISL9R8120S3ST	fabbricante	Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione	DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	6005 pcs	Scheda dati	ISL9R8120S3ST.pdf
Tensione - Picco inversa (max)	Standard	Tensione - diretta (Vf) (max) a If	8A
Tensione - Ripartizione	TO-263AB	Serie	Stealth™
Stato RoHS	Tape & Reel (TR)	Tempo di ripristino inverso (trr)	Fast Recovery = 200mA (Io)
Resistenza a If, F	30pF @ 10V, 1MHz	Polarizzazione	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi	ISL9R8120S3ST-ND ISL9R8120S3STFSTR	Temperatura di funzionamento - Giunzione	300ns
Tipo montaggio	Surface Mount	Livello di sensibilità umidità (MSL)	1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore	ISL9R8120S3ST	Descrizione espansione	Diode Standard 1200V (1.2kV) 8A Surface Mount TO-263AB
Configurazione diodo	100µA @ 1200V	Descrizione	DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263
Corrente - Dispersione inversa a Vr	3.3V @ 8A	Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo)	1200V (1.2kV)
Capacità a Vr, F	-55°C ~ 150°C

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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