BSP315PH6327XTSA1

Infineon Technologies

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	BSP315PH6327XTSA1
Costruttore / Marca:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
Specifiche:	BSP315PH6327XTSA1.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	279844 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 279844 pcs

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Specifiche di BSP315PH6327XTSA1

Modello di prodotti	BSP315PH6327XTSA1	fabbricante	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	279844 pcs	Scheda dati	BSP315PH6327XTSA1.pdf
Tensione - Prova	160pF @ 25V	Tensione - Ripartizione	PG-SOT223-4
Vgs (th) (max) a Id	800 mOhm @ 1.17A, 10V	Vgs (Max)	4.5V, 10V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	SIPMOS®
Stato RoHS	Tape & Reel (TR)	Rds On (max) a Id, Vgs	1.17A (Ta)
Polarizzazione	TO-261-4, TO-261AA	Altri nomi	BSP315PH6327XTSA1TR SP001058830
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	10 Weeks
codice articolo del costruttore	BSP315PH6327XTSA1	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7.8nC @ 10V
Tipo IGBT	±20V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	2V @ 160µA
Caratteristica FET	P-Channel	Descrizione espansione	P-Channel 60V 1.17A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Tensione drain-source (Vdss)	-	Descrizione	MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	60V	rapporto di capacità	1.8W (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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