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IRFH5304TRPBF

Infineon TechnologiesInfineon Technologies
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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti: IRFH5304TRPBF
Costruttore / Marca: International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione del prodotto MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN
Specifiche: IRFH5304TRPBF.pdf
Stato RoHS Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta 218767 pcs stock
Nave da Hong Kong
Modo di spedizione DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 218767 pcs
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Specifiche di IRFH5304TRPBF

Modello di prodotti IRFH5304TRPBF fabbricante Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 218767 pcs Scheda dati IRFH5304TRPBF.pdf
Tensione - Prova 2360pF @ 10V Tensione - Ripartizione PQFN (5x6)
Vgs (th) (max) a Id 4.5 mOhm @ 47A, 10V Vgs (Max) 4.5V, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Serie HEXFET®
Stato RoHS Tape & Reel (TR) Rds On (max) a Id, Vgs 22A (Ta), 79A (Tc)
Polarizzazione 8-PowerVDFN Altri nomi IRFH5304TRPBF-ND
IRFH5304TRPBFTR
SP001564156
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited) Produttore tempi di consegna standard 16 Weeks
codice articolo del costruttore IRFH5304TRPBF Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 41nC @ 10V
Tipo IGBT ±20V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.35V @ 50µA
Caratteristica FET N-Channel Descrizione espansione N-Channel 30V 22A (Ta), 79A (Tc) 3.6W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Tensione drain-source (Vdss) - Descrizione MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30V rapporto di capacità 3.6W (Ta), 46W (Tc)

Metodo di spedizione

★ SPEDIZIONE GRATUITA TRAMITE DHL / FEDEX / UPS SE UN IMPORTO PER ORDINI SUPERIORE A 1.000 USD.
(SOLO PER Circuiti integrati, Protezione di circuiti, RF / IF e RFID, Optoelettronica, Sensori, Trasduttori, Trasformatori, Isolatori, Interruttori, Relè)

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