IRFR1010ZPBF

Infineon Technologies

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IRFR1010ZPBF
Costruttore / Marca:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Specifiche:	IRFR1010ZPBF.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	89782 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 89782 pcs

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Specifiche di IRFR1010ZPBF

Modello di prodotti	IRFR1010ZPBF	fabbricante	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 55V 42A DPAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	89782 pcs	Scheda dati	IRFR1010ZPBF.pdf
Tensione - Prova	2840pF @ 25V	Tensione - Ripartizione	D-Pak
Vgs (th) (max) a Id	7.5 mOhm @ 42A, 10V	Vgs (Max)	10V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	HEXFET®
Stato RoHS	Tube	Rds On (max) a Id, Vgs	42A (Tc)
Polarizzazione	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Altri nomi	*IRFR1010ZPBF SP001578020
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)	1 (Unlimited)	codice articolo del costruttore	IRFR1010ZPBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	95nC @ 10V	Tipo IGBT	±20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	4V @ 100µA	Caratteristica FET	N-Channel
Descrizione espansione	N-Channel 55V 42A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D-Pak	Tensione drain-source (Vdss)	-
Descrizione	MOSFET N-CH 55V 42A DPAK	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	55V
rapporto di capacità	140W (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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