IRFS3607PBF

Infineon Technologies

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IRFS3607PBF
Costruttore / Marca:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Specifiche:	IRFS3607PBF.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	86100 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 86100 pcs

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Specifiche di IRFS3607PBF

Modello di prodotti	IRFS3607PBF	fabbricante	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	86100 pcs	Scheda dati	IRFS3607PBF.pdf
Tensione - Prova	3070pF @ 50V	Tensione - Ripartizione	D2PAK
Vgs (th) (max) a Id	9 mOhm @ 46A, 10V	Vgs (Max)	10V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	HEXFET®
Stato RoHS	Tube	Rds On (max) a Id, Vgs	80A (Tc)
Polarizzazione	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Altri nomi	SP001557342
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)	1 (Unlimited)	codice articolo del costruttore	IRFS3607PBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	84nC @ 10V	Tipo IGBT	±20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	4V @ 100µA	Caratteristica FET	N-Channel
Descrizione espansione	N-Channel 75V 80A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D2PAK	Tensione drain-source (Vdss)	-
Descrizione	MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	75V
rapporto di capacità	140W (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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