IRFS4115TRLPBF

Infineon Technologies

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IRFS4115TRLPBF
Costruttore / Marca:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
Specifiche:	IRFS4115TRLPBF.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	76114 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 76114 pcs

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Specifiche di IRFS4115TRLPBF

Modello di prodotti	IRFS4115TRLPBF	fabbricante	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	76114 pcs	Scheda dati	IRFS4115TRLPBF.pdf
Tensione - Prova	5270pF @ 50V	Tensione - Ripartizione	D2PAK
Vgs (th) (max) a Id	12.1 mOhm @ 62A, 10V	Vgs (Max)	10V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	HEXFET®
Stato RoHS	Tape & Reel (TR)	Rds On (max) a Id, Vgs	195A (Tc)
Polarizzazione	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Altri nomi	IRFS4115TRLPBFTR SP001578272
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	15 Weeks
codice articolo del costruttore	IRFS4115TRLPBF	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	120nC @ 10V
Tipo IGBT	±20V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	5V @ 250µA
Caratteristica FET	N-Channel	Descrizione espansione	N-Channel 150V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK
Tensione drain-source (Vdss)	-	Descrizione	MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	150V	rapporto di capacità	375W (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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