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Infineon Technologies
| Modello di prodotti | IRLML6302GTRPBF | fabbricante | Infineon Technologies |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 0.78A SOT-23-3 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 638728 pcs | Scheda dati | IRLML6302GTRPBF.pdf |
| Tensione - Prova | 97pF @ 15V | Tensione - Ripartizione | Micro3™/SOT-23 |
| Vgs (th) (max) a Id | 600 mOhm @ 610mA, 4.5V | Vgs (Max) | 2.7V, 4.5V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Serie | HEXFET® |
| Stato RoHS | Tape & Reel (TR) | Rds On (max) a Id, Vgs | 780mA (Ta) |
| Polarizzazione | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Altri nomi | IRLML6302GTRPBF-ND IRLML6302GTRPBFTR SP001550492 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore | IRLML6302GTRPBF | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3.6nC @ 4.5V |
| Tipo IGBT | ±12V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5V @ 250µA |
| Caratteristica FET | P-Channel | Descrizione espansione | P-Channel 20V 780mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 |
| Tensione drain-source (Vdss) | - | Descrizione | MOSFET P-CH 20V 0.78A SOT-23-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 20V | rapporto di capacità | 540mW (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese. |
| UPS | www.UPS.com | A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese. |
| TNT | www.TNT.com | A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese. |
