CSD16570Q5BT

N/A

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	CSD16570Q5BT
Costruttore / Marca:	N/A
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Specifiche:
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	49651 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 49651 pcs

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Specifiche di CSD16570Q5BT

Modello di prodotti	CSD16570Q5BT	fabbricante	N/A
Descrizione	MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	49651 pcs	Scheda dati
Tensione - Prova	14000pF @ 12V	Tensione - Ripartizione	8-VSON (5x6)
Vgs (th) (max) a Id	0.59 mOhm @ 50A, 10V	Vgs (Max)	4.5V, 10V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	NexFET™
Stato RoHS	Digi-Reel®	Rds On (max) a Id, Vgs	100A (Ta)
Polarizzazione	8-PowerTDFN	Altri nomi	296-38335-6
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	12 Weeks
codice articolo del costruttore	CSD16570Q5BT	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	250nC @ 10V
Tipo IGBT	±20V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	1.9V @ 250µA
Caratteristica FET	N-Channel	Descrizione espansione	N-Channel 25V 100A (Ta) 3.2W (Ta), 195W (Tc) Surface Mount 8-VSON (5x6)
Tensione drain-source (Vdss)	-	Descrizione	MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	25V	rapporto di capacità	3.2W (Ta), 195W (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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