JAN1N3600

Microsemi Corporation

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	JAN1N3600
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	DIODE GEN PURP 50V 200MA DO7
Specifiche:	JAN1N3600.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	18590 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 18590 pcs

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

204 pcs: $1.989

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Specifiche di JAN1N3600

Modello di prodotti	JAN1N3600	fabbricante	Microsemi Corporation
Descrizione	DIODE GEN PURP 50V 200MA DO7	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	18590 pcs	Scheda dati	JAN1N3600.pdf
Tensione - Picco inversa (max)	Standard	Tensione - diretta (Vf) (max) a If	200mA (DC)
Tensione - Ripartizione	DO-7	Serie	Military, MIL-PRF-19500/231
Stato RoHS	Bulk	Tempo di ripristino inverso (trr)	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Resistenza a If, F	-	Polarizzazione	DO-204AA, DO-7, Axial
Altri nomi	1086-16797 1086-16797-MIL	Temperatura di funzionamento - Giunzione	4ns
Tipo montaggio	Through Hole	Livello di sensibilità umidità (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	10 Weeks	codice articolo del costruttore	JAN1N3600
Descrizione espansione	Diode Standard 50V 200mA (DC) Through Hole DO-7	Configurazione diodo	100nA @ 50V
Descrizione	DIODE GEN PURP 50V 200MA DO7	Corrente - Dispersione inversa a Vr	1V @ 200mA
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo)	50V	Capacità a Vr, F	-65°C ~ 175°C

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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