MRF5812R2

Microsemi Corporation

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	MRF5812R2
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC
Specifiche:	MRF5812R2.pdf
Condizione di scorta	79829 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 79829 pcs

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Specifiche di MRF5812R2

Modello di prodotti	MRF5812R2	fabbricante	Microsemi Corporation
Descrizione	RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC	Stato Lead senza piombo / RoHS
quantità disponibile	79829 pcs	Scheda dati	MRF5812R2.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	200mA	Tensione - Ripartizione	8-SO
Vce saturazione (max) a Ib, Ic	18V	Serie	-
Stato RoHS	Tape & Reel (TR)	Resistenza - Base (R1) (ohm)	5GHz
Potenza - Max	1.25W	Polarizzazione	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)	1 (Unlimited)	codice articolo del costruttore	MRF5812R2
Guadagno	2dB @ 500MHz	Frequenza - transizione	50 @ 50mA, 5V
Tipo FET	15.5dB	Descrizione espansione	RF Transistor NPN 18V 200mA 5GHz 1.25W Surface Mount 8-SO
Descrizione	RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC	Corrente - collettore (Ic) (max)	NPN

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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