NP52N06SLG-E1-AY

Renesas Electronics America

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NP52N06SLG-E1-AY
Costruttore / Marca:	Renesas Electronics America
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 60V 52A TO252
Specifiche:	NP52N06SLG-E1-AY.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	90920 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 90920 pcs

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Specifiche di NP52N06SLG-E1-AY

Modello di prodotti	NP52N06SLG-E1-AY	fabbricante	Renesas Electronics America
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 52A TO252	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	90920 pcs	Scheda dati	NP52N06SLG-E1-AY.pdf
Tensione - Prova	2100pF @ 10V	Tensione - Ripartizione	TO-252 (MP-3ZK)
Vgs (th) (max) a Id	17.5 mOhm @ 26A, 10V	Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	-	Stato RoHS	Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs	52A (Tc)	Polarizzazione	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi	NP52N06SLG-E1-AY-ND NP52N06SLG-E1-AYTR	temperatura di esercizio	175°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Livello di sensibilità umidità (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	16 Weeks	codice articolo del costruttore	NP52N06SLG-E1-AY
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	39nC @ 10V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	-
Caratteristica FET	N-Channel	Descrizione espansione	N-Channel 60V 52A (Tc) 1.2W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount TO-252 (MP-3ZK)
Tensione drain-source (Vdss)	-	Descrizione	MOSFET N-CH 60V 52A TO252
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	60V	rapporto di capacità	1.2W (Ta), 56W (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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