RN2112ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RN2112ACT(TPL3)
Costruttore / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione del prodotto	TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
Specifiche:	RN2112ACT(TPL3).pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	1159015 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1159015 pcs

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Specifiche di RN2112ACT(TPL3)

Modello di prodotti	RN2112ACT(TPL3)	fabbricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	1159015 pcs	Scheda dati	RN2112ACT(TPL3).pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	80mA	Tensione - Ripartizione	CST3
Vce saturazione (max) a Ib, Ic	50V	Serie	-
Stato RoHS	Tape & Reel (TR)	Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm)	22k
Resistenza - Base (R1) (ohm)	-	Potenza - Max	100mW
Polarizzazione	SC-101, SOT-883	Altri nomi	RN2112ACT(TPL3)TR
Di rumore (dB tip @ f)	-	Tipo montaggio	Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)	1 (Unlimited)	codice articolo del costruttore	RN2112ACT(TPL3)
Frequenza - transizione	120 @ 1mA, 5V	Descrizione espansione	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
Descrizione	TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3	Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	100nA (ICBO)
Corrente - Cutoff collettore (max)	150mV @ 250µA, 5mA	Corrente - collettore (Ic) (max)	PNP - Pre-Biased

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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