IRF9530STRLPBF

Vishay Siliconix

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IRF9530STRLPBF
Costruttore / Marca:	Vishay / Siliconix
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
Specifiche:	IRF9530STRLPBF.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	87776 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 87776 pcs

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Specifiche di IRF9530STRLPBF

Modello di prodotti	IRF9530STRLPBF	fabbricante	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	87776 pcs	Scheda dati	IRF9530STRLPBF.pdf
Tensione - Prova	860pF @ 25V	Tensione - Ripartizione	D2PAK
Vgs (th) (max) a Id	300 mOhm @ 7.2A, 10V	Vgs (Max)	10V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	-
Stato RoHS	Tape & Reel (TR)	Rds On (max) a Id, Vgs	12A (Tc)
Polarizzazione	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Altri nomi	IRF9530STRLPBF-ND IRF9530STRLPBFTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	11 Weeks
codice articolo del costruttore	IRF9530STRLPBF	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	38nC @ 10V
Tipo IGBT	±20V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	4V @ 250µA
Caratteristica FET	P-Channel	Descrizione espansione	P-Channel 100V 12A (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) Surface Mount D2PAK
Tensione drain-source (Vdss)	-	Descrizione	MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	100V	rapporto di capacità	3.7W (Ta), 88W (Tc)

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Post-Vendita
Specifiche

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