2N5639

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	2N5639
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	JFET N-CH 35V 0.31W TO92
Specifiche:	2N5639.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	5298 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5298 pcs

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Specifiche di 2N5639

Modello di prodotti	2N5639	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	JFET N-CH 35V 0.31W TO92	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	5298 pcs	Scheda dati	2N5639.pdf
Tensione - Breakdown (V (BR) GSS)	35V	Contenitore dispositivo fornitore	TO-92-3
Serie	-	Resistenza - RDS (on)	60 Ohms
Potenza - Max	310mW	imballaggio	Bulk
Contenitore / involucro	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Altri nomi	2N5639-ND 2N5639OS
temperatura di esercizio	-65°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	10pF @ 12V (VGS)	Tipo FET	N-Channel
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	JFET N-Channel 35V 310mW Through Hole TO-92-3
Corrente - Drain (Idss) Vds (Vgs = 0)	25mA @ 20V	Numero di parte base	2N5639

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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