2SC6017-E

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	2SC6017-E
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS NPN 50V 10A TP
Specifiche:	2SC6017-E.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	203483 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 203483 pcs

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Specifiche di 2SC6017-E

Modello di prodotti	2SC6017-E	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	TRANS NPN 50V 10A TP	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	203483 pcs	Scheda dati	2SC6017-E.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	50V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	360mV @ 250mA, 5A
Tipo transistor	NPN	Contenitore dispositivo fornitore	TP
Serie	-	Potenza - Max	950mW
imballaggio	Bulk	Contenitore / involucro	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Altri nomi	2SC6017-E-ND 2SC6017-EOS	temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	4 Weeks	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione	200MHz	Descrizione dettagliata	Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 10A 200MHz 950mW Through Hole TP
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	200 @ 1A, 2V	Corrente - Cutoff collettore (max)	10µA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)	10A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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