BU323Z

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	BU323Z
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS NPN DARL 350V 10A TO-218
Specifiche:	BU323Z.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	5201 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5201 pcs

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Specifiche di BU323Z

Modello di prodotti	BU323Z	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	TRANS NPN DARL 350V 10A TO-218	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	5201 pcs	Scheda dati	BU323Z.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	350V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	1.7V @ 250mA, 10A
Tipo transistor	NPN - Darlington	Contenitore dispositivo fornitore	SOT-93
Serie	-	Potenza - Max	150W
imballaggio	Tube	Contenitore / involucro	TO-218-3
temperatura di esercizio	-65°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenza - transizione	2MHz	Descrizione dettagliata	Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 350V 10A 2MHz 150W Through Hole SOT-93
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	500 @ 5A, 4.6V	Corrente - Cutoff collettore (max)	100µA
Corrente - collettore (Ic) (max)	10A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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