EFC6601R-TR

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	EFC6601R-TR
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET 2N-CH EFCP
Specifiche:	EFC6601R-TR.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	200263 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 200263 pcs

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Specifiche di EFC6601R-TR

Modello di prodotti	EFC6601R-TR	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET 2N-CH EFCP	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	200263 pcs	Scheda dati	EFC6601R-TR.pdf
Vgs (th) (max) a Id	-	Contenitore dispositivo fornitore	EFCP2718-6CE-020
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	-
Potenza - Max	2W	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	6-XFBGA, FCBGA	Altri nomi	EFC6601R-TR-ND EFC6601R-TROSTR
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	4 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	48nC @ 4.5V	Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate, 2.5V Drive	Tensione drain-source (Vdss)	-
Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 2W Surface Mount EFCP2718-6CE-020	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	-

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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